STF11N65M2-045Y MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STF11N65M2-045Y
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.68 Ohm
Encapsulados: TO220F
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STF11N65M2-045Y datasheet
stf11n65m2-045y.pdf
STF11N65M2(045Y) Datasheet N-channel 650 V, 0.60 typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP narrow leads package Features VDS RDS(on) max. ID PTOT Order code STF11N65M2(045Y) 650 V 0.68 7 A 25 W Extremely low gate charge 3 2 1 Excellent output capacitance (COSS) profile TO-220FP narrow leads 100% avalanche tested Zener-protected D(2) Applications
stf11n65m2 stf11n65m2 stfi11n65m2.pdf
STF11N65M2, STFI11N65M2 N-channel 650 V, 0.6 typ., 7 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in TO-220FP and I2PAKFP packages Datasheet - preliminary data Features Order codes VDS RDS(on) max ID STF11N65M2 650 V 0.67 7 A STFI11N65M2 Extremely low gate charge 3 Lower RDS(on) x area vs previous generation 1 2 2 3 1 Low gate input resistance 2 TO-220FP I P
stf11n65m2 stfi11n65m2.pdf
STF11N65M2, STFI11N65M2 N-channel 650 V, 0.6 typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFETs in TO-220FP and I PAKFP packages Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOT STF11N65M2 650 V 0.68 7 A 25 W STFI11N65M2 Extremely low gate charge TO-220FP I2PAKFP (TO-281) Excellent output capacitance (C ) profile OSS 100% avalanche teste
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