STF11N65M2-045Y Todos los transistores

 

STF11N65M2-045Y MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STF11N65M2-045Y

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.68 Ohm

Encapsulados: TO220F

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STF11N65M2-045Y datasheet

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STF11N65M2-045Y

STF11N65M2(045Y) Datasheet N-channel 650 V, 0.60 typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP narrow leads package Features VDS RDS(on) max. ID PTOT Order code STF11N65M2(045Y) 650 V 0.68 7 A 25 W Extremely low gate charge 3 2 1 Excellent output capacitance (COSS) profile TO-220FP narrow leads 100% avalanche tested Zener-protected D(2) Applications

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STF11N65M2-045Y

STF11N65M2, STFI11N65M2 N-channel 650 V, 0.6 typ., 7 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in TO-220FP and I2PAKFP packages Datasheet - preliminary data Features Order codes VDS RDS(on) max ID STF11N65M2 650 V 0.67 7 A STFI11N65M2 Extremely low gate charge 3 Lower RDS(on) x area vs previous generation 1 2 2 3 1 Low gate input resistance 2 TO-220FP I P

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STF11N65M2-045Y

STF11N65M2, STFI11N65M2 N-channel 650 V, 0.6 typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFETs in TO-220FP and I PAKFP packages Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOT STF11N65M2 650 V 0.68 7 A 25 W STFI11N65M2 Extremely low gate charge TO-220FP I2PAKFP (TO-281) Excellent output capacitance (C ) profile OSS 100% avalanche teste

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