STF11N65M2-045Y MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STF11N65M2-045Y
Código: 11N65M2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 12.5 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.68 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
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STF11N65M2-045Y Datasheet (PDF)
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stf11n65m2 stf11n65m2 stfi11n65m2.pdf
STF11N65M2, STFI11N65M2N-channel 650 V, 0.6 typ., 7 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in TO-220FP and I2PAKFP packagesDatasheet - preliminary dataFeaturesOrder codes VDS RDS(on) max IDSTF11N65M2650 V 0.67 7 ASTFI11N65M2 Extremely low gate charge3 Lower RDS(on) x area vs previous generation12231 Low gate input resistance2TO-220FPI P
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STF11N65M2, STFI11N65M2 N-channel 650 V, 0.6 typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFETs in TO-220FP and IPAKFP packages Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTF11N65M2 650 V 0.68 7 A 25 W STFI11N65M2 Extremely low gate charge TO-220FP I2PAKFP (TO-281) Excellent output capacitance (C ) profile OSS 100% avalanche teste
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