STF33N60DM6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STF33N60DM6
Código: 33N60DM6
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 35 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 25 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.75 V
Carga de la puerta (Qg): 35 nC
Tiempo de subida (tr): 9 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 115 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.128 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
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STF33N60DM6 Datasheet (PDF)
stf33n60dm6.pdf
STF33N60DM6DatasheetN-channel 600 V, 115 m typ., 25 A, MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO220FP packageFeaturesVDS RDS(on) max. IDOrder codeSTF33N60DM6 600 V 128 m 25 A Fast-recovery body diode Lower RDS(on) per area vs previous generation321 Low gate charge, input capacitance and resistance 100% avalanche testedTO-220FP Extremely high dv/dt
stf33n60m2 sti33n60m2 stp33n60m2 stw33n60m2.pdf
STF33N60M2, STI33N60M2, STP33N60M2, STW33N60M2N-channel 600 V, 0.108 typ., 26 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in TO-220FP, I2PAK, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABVDS @ RDS(on) Order codes ID32 3TJmax max1212I PAKTO-220FPSTF33N60M2 26 A(1)TABSTI33N60M2650 V 0.125 STP33N60M2 26 ASTW33N60M233221
stb33n65m2 stf33n65m2 sti33n65m2 stp33n65m2.pdf
STB33N65M2, STF33N65M2,STP33N65M2, STI33N65M2N-channel 650 V, 0.117 typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packagesDatasheet - production dataFeaturesTABTABRDS(on) Order codes VDS max IDSTB33N65M233121STF33N65M2TO-220FPD2PAK650 V 0.14 24 ASTP33N65M2TAB TABSTI33N65M2 Extremely low gate charge Exce
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