STFI13N95K3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STFI13N95K3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 950 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 117 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
Encapsulados: I2PAKFP
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STFI13N95K3 datasheet
stfi13nm60n.pdf
STFI13NM60N N-channel 600 V, 0.28 , 11 A MDmesh II Power MOSFET in I PAKFP package Datasheet production data Features VDSS RDS(on) Type ID PTOT (@Tjmax) max STFI13NM60N 650 V
stfi13n80k5.pdf
STFI13N80K5 N-channel 800 V, 0.37 typ.,12 A MDmesh K5 Power MOSFET in an I PAKFP package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on) ID PTOT STFI13N80K5 800 V 0.45 12 A 35 W Fully insulated and low profile package with increased creepage path from pin to heatsink plate Industry s lowest RDS(on) x area 1 2 3 Industry s best figure of
stf13n60m2 stfi13n60m2.pdf
STF13N60M2, STFI13N60M2 N-channel 600 V, 0.35 typ., 11 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in TO-220FP and I2PAKFP packages Datasheet - production data Features Order codes VDS @ TJmax RDS(on) max ID STF13N60M2 650 V 0.38 11 A STFI13N60M2 3 2 Extremely low gate charge 1 1 2 3 TO-220FP Lower RDS(on) x area vs previous generation I2PAKFP Low gate input r
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History: 2SJ146
History: 2SJ146
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