STFI15N60M2-EP Todos los transistores

 

STFI15N60M2-EP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STFI15N60M2-EP
   Código: 15N60M2EP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 17 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.378 Ohm
   Paquete / Cubierta: I2PAKFP

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STFI15N60M2-EP Datasheet (PDF)

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STFI15N60M2-EP
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STF15N60M2-EP, STFI15N60M2-EP N-channel 600 V, 0.340 typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in TO-220FP and IPAKFP packages Datasheet - production data Extremely low gate charge Excellent output capacitance (COSS) profile Very low turn-off switching losses 100% avalanche tested Zener-protected Applications TO-220FP I2PAKFP (TO-281) Switching

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STFI15N60M2-EP
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STF15N65M5, STFI15N65M5, STP15N65M5N-channel 650 V, 0.308 typ., 11 A MDmesh V Power MOSFET in TO-220FP, I2PAKFP and TO-220 packagesDatasheet production dataFeaturesVDS @ RDS(on) Order codes IDTJmax max321STF15N65M5TO-220FPSTFI15N65M5 710 V

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STF15NM65N,STFI15NM65NN-channel 650 V, 0.35 typ., 12 A MDmesh II Power MOSFETs in TO-220FP and IPAKFP packagesDatasheet - production dataFeatures Order code VDSS @Tjmax RDS(on) max. IDSTF15NM65N32 710 V 0.38 12 A1STFI15NM65N1TO-220FP 23 100% avalanche testedI 2PAKFP Low input capacitance and gate charge(TO-281) Low gate input resistance

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STF15NM65N, STFI15NM65N, STP15NM65NN-channel 650 V, 0.35 typ., 12 A MDmesh II Power MOSFETs in TO-220FP, IPAKFP and TO-220 packagesDatasheet - production dataFeatures Order codes VDSS @Tjmax RDS(on) max. IDSTF15NM65N321STFI15NM65N 710 V 0.38 12 A1TO-220FP 23STP15NM65NI 2PAKFPTAB 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge3

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
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