STFU16N65M2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STFU16N65M2
   Código: 16N65M2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 19.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 32 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STFU16N65M2

STFU16N65M2 Datasheet (PDF)

..1. Size:641K st
stfu16n65m2.pdf

STFU16N65M2 N-channel 650 V, 0.32 typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra narrow leads package Datasheet - production data Features Order code V R max I DS DS(on) DSTFU16N65M2 650 V 0.36 11 A Extremely low gate charge Excellent output capacitance (C ) profile OSS 100% avalanche tested 321 Zener-protected TO-220FPApplications

9.1. Size:837K st
stf10n80k5 stfu10n80k5.pdf

STF10N80K5, STFU10N80K5 N-channel 800 V, 0.470 typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFETs in a TO-220FP and TO-220FP ultra narrow leads Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTF10N80K5 800 V 0.600 9 A 30 W STFU10N80K5 Industrys lowest R x area DS(on) Industrys best figure of merit (FoM) Ultra-low gate charge

9.2. Size:563K st
stfu18n65m2.pdf

STFU18N65M2 N-channel 650 V, 0.275 typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra narrow leads package Datasheet - production data Features Order code V R max I DS DS(on) DSTFU18N65M2 650 V 0.33 12 A Extremely low gate charge Excellent output capacitance (C ) profile oss 100% avalanche tested 321 Zener-protected TO-220FPApplication

9.3. Size:896K st
stfu15n80k5.pdf

STFU15N80K5 N-channel 800 V, 0.3 typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP ultra narrow leads package Datasheet - production data Features Order code V R max I DS DS(on) DSTFU15N80K5 800 V 0.375 14 A Industrys lowest R x area DS(on) Industrys best figure of merit (FoM) Ultra low gate charge 321 100% avalanche tested Zener-pr

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