STFU16N65M2 Todos los transistores

 

STFU16N65M2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STFU16N65M2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 32 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm

Encapsulados: TO220F

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STFU16N65M2 datasheet

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STFU16N65M2

STFU16N65M2 N-channel 650 V, 0.32 typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra narrow leads package Datasheet - production data Features Order code V R max I DS DS(on) D STFU16N65M2 650 V 0.36 11 A Extremely low gate charge Excellent output capacitance (C ) profile OSS 100% avalanche tested 3 2 1 Zener-protected TO-220FP Applications

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STFU16N65M2

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STFU16N65M2

STFU18N65M2 N-channel 650 V, 0.275 typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra narrow leads package Datasheet - production data Features Order code V R max I DS DS(on) D STFU18N65M2 650 V 0.33 12 A Extremely low gate charge Excellent output capacitance (C ) profile oss 100% avalanche tested 3 2 1 Zener-protected TO-220FP Application

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STFU16N65M2

STFU15N80K5 N-channel 800 V, 0.3 typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP ultra narrow leads package Datasheet - production data Features Order code V R max I DS DS(on) D STFU15N80K5 800 V 0.375 14 A Industry s lowest R x area DS(on) Industry s best figure of merit (FoM) Ultra low gate charge 3 2 1 100% avalanche tested Zener-pr

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History: ZXMS6001N3 | WMQ30N04TS | IRFU3806PBF | JMSL1040PGQ | CM4N65C | FDMS7558S | DG2N65-220

 

 

 

 

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