STI14NM50N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STI14NM50N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.32 Ohm
Encapsulados: TO262
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STI14NM50N datasheet
stf14nm50n sti14nm50n stp14nm50n.pdf
STF14NM50N, STI14NM50N, STP14NM50N N-channel 500 V, 0.28 typ., 12 A MDmesh II Power MOSFETs in TO-220FP, I PAK and TO-220 packages Datasheet - production data Features VDS @ RDS(on) Order codes ID TJmax max 3 STF14NM50N 2 1 STI14NM50N 550 V 0.32 12 A TO-220FP STP14NM50N TAB TAB 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge 3 3 TO-220 2 I
sti14nm65n stp14nm65n stw14nm65n stb14nm65n stf14nm65n.pdf
STB14NM65N, STF14NM65N STI14NM65N,STP14NM65N,STW14NM65N N-channel 650 V, 0.33 , 12 A MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, I2PAK, TO-247 Features VDSS RDS(on) Type ID (@TJmax) max 3 2 3 1 2 STI14NM65N 710 V
stb14nm65n stb14nm65n stf14nm65n sti14nm65n stp14nm65n stw14nm65n stf14nm65n sti14nm65n stw14nm65n.pdf
STB14NM65N, STF14NM65N STI14NM65N,STP14NM65N,STW14NM65N N-channel 650 V, 0.33 , 12 A MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, I2PAK, TO-247 Features VDSS RDS(on) Type ID (@TJmax) max 3 2 3 1 2 STI14NM65N 710 V
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History: ELM32400LA | 2SJ529S | NTD4810N | 2SJ461A
History: ELM32400LA | 2SJ529S | NTD4810N | 2SJ461A
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Liste
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MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
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