STP20N60M2-EP Todos los transistores

 

STP20N60M2-EP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STP20N60M2-EP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.278 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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STP20N60M2-EP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:255K  st
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STP20N60M2-EP

STP20N60M2-EPN-channel 600 V, 0.230 typ., 13 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 packageFeaturesVDS RDS(on) max. IDOrder codeTABSTB20N60M2-EP 600 V 0.278 13 A Extremely low gate charge32 Excellent output capacitance (COSS) profile1TO-220 Very low turn-off switching losses 100% avalanche tested Zener-protectedD(2, TAB)Applications

 7.1. Size:1169K  st
stb20n65m5 sti20n65m5 stp20n65m5 stw20n65m5.pdf pdf_icon

STP20N60M2-EP

STB20N65M5, STI20N65M5, STP20N65M5, STW20N65M5N-channel 650 V, 0.160 typ., 18 A MDmesh V Power MOSFET in D2PAK, I2PAK, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet production dataFeaturesTABTABVDS @ RDS(on) Order codes ID2TJmax max3321 1STB20N65M5D2PAKI2PAKSTI20N65M5710 V 0.19 18 ATABSTP20N65M5STW20N65M5 Worldwide best RDS(on) * area32

 7.2. Size:205K  inchange semiconductor
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STP20N60M2-EP

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STP20N65M5FEATURESTypical R (on)=0.16DSExcellent switching performance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 650 V

 8.1. Size:335K  st
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STP20N60M2-EP

STP20NF06STF20NF06N-channel 60V - 0.06 - 20A - TO-220/TO-220FPSTripFET II Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTP20NF06 60V

Otros transistores... STL90N6F7 , STP10LN80K5 , STP10N80K5 , STP110N8F7 , STP130N6F7 , STP13N60DM2 , STP15810 , STP18N60DM2 , IRFB31N20D , STP23N80K5 , STP26N60M2 , STP26N65DM2 , STP28N60DM2 , STP33N60DM2 , STP33N60DM6 , STP36N60M6 , STP43N60DM2 .

History: JCS24N50WH | PTW90N20 | ASDM65N18S

 

 
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