STP4N90K5 Todos los transistores

 

STP4N90K5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STP4N90K5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 17.9 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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STP4N90K5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:725K  st
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STP4N90K5

STP4N90K5 N-channel 900 V, 1.90 typ.,3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) DTABSTP4N90K5 900 V 2.10 3 A Industrys lowest R x area DS(on) Industrys best FoM (figure of merit) 32 Ultra-low gate charge 1 100% avalanche tested TO-220 Zener-protected Appl

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STP4N90K5

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STP4N90K5

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STP4N90K5

STP4NK50Z - STP4NK50ZFPSTD4NK50Z - STD4NK50Z-1N-CHANNEL 500V - 2.4 - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAKZener-Protected SuperMESHPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTP4NK50Z 500 V

Otros transistores... STP26N65DM2 , STP28N60DM2 , STP33N60DM2 , STP33N60DM6 , STP36N60M6 , STP43N60DM2 , STP45N60DM6 , STP4LN80K5 , MMIS60R580P , STP6N90K5 , STP8N120K5 , STP9N80K5 , STQ1HNK60R-AP , STS8DN6LF6AG , STU5N95K5 , STU6N60DM2 , STW20N90K5 .

History: MSU1N60T | IPA037N08N3 | R6020FNJ

 

 
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