STW40N90K5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STW40N90K5
Código: 40N90K5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 446 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 900 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 40 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 89 nC
Tiempo de subida (tr): 15.5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 212 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.099 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STW40N90K5
STW40N90K5 Datasheet (PDF)
stw40n90k5 stwa40n90k5.pdf
STW40N90K5, STWA40N90K5 N-channel 900 V, 0.088 typ., 40 A MDmesh K5 Power MOSFETs in TO-247 and TO-247 long leads packages Datasheet - production data Features Order code V R max I DS DS(on) DSTW40N90K5 900 V 0.099 40 A STWA40N90K5 Industrys lowest R x area DS(on) Industrys best FoM (figure of merit) Ultra-low gate charge 100% avalanche
stw40n95k5.pdf
STW40N95K5 N-channel 950 V, 0.110 typ., 38 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package Datasheet - production data Features Order code V R max I P DS DS(on) D TOTSTW40N95K5 950 V 0.130 38 A 450 W Industrys lowest R x area DS(on) Industrys best figure of merit (FoM) 32 Ultra low gate charge 1 100% avalanche tested Zener-protected
stw40ns15.pdf
STW40NS15N-CHANNEL 150V - 0.042 - 40A TO-247MESH OVERLAY MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTW40NS15 150 V
stp40nf20 stf40nf20 stb40nf20 stw40nf20.pdf
STP40NF20 - STF40NF20STB40NF20 - STW40NF20N-channel 200V - 0.038 -40A- D2PAK/TO-220/TO-220FP/TO-247Low gate charge STripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID PW3STB40NF20 200V
stb40n20 stb40n20 stp40n20 stp40n20fp stw40n20 stp40n20 stw40n20.pdf
STP40N20 - STF40N20STB40N20 - STW40N20N-channel 200V - 0.038 -40A- D2PAK/TO-220/TO-220FP/TO-247Low gate charge STripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID PW3STB40N20 200V
stb40n60m2 stp40n60m2 stw40n60m2.pdf
STB40N60M2, STP40N60M2,STW40N60M2N-channel 600 V, 0.078 typ., 34 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in D2PAK, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABTABOrder codes VDS @ TJmax RDS(on) max ID2STB40N60M23132 STP40N60M2 650 V 0.088 34 AD2PAK1STW40N60M2TO-220 Extremely low gate charge Lower RDS(on) x area vs previous
stw40n65m2.pdf
STW40N65M2 N-channel 650 V, 0.087 typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) DSTW40N65M2 650 V 0.099 32 A Extremely low gate charge Excellent output capacitance (COSS) profile 3 100% avalanche tested 2 Zener-protected 1Applications TO-247 Switching applicat
stb40nf20 stf40nf20 stp40nf20 stw40nf20.pdf
STP40NF20 - STF40NF20STB40NF20 - STW40NF20N-channel 200V - 0.038 -40A- D2PAK/TO-220/TO-220FP/TO-247Low gate charge STripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID PW3STB40NF20 200V
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