STT622S Todos los transistores

 

STT622S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STT622S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.2 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 52 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.076 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

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STT622S datasheet

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STT622S

Green Product STT622S a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Max VDSS ID Rugged and reliable. 76 @ VGS=10V Surface Mount Package. 4.2A 60V 100 @ VGS=4.5V D G G S STT SERIES S SOT - 223 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25

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STT622S

Green Product STT626 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Max VDSS ID Rugged and reliable. 60V 8A 27 @ VGS=10V Surface Mount Package. D G G S STT SERIES S SOT - 223 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C unless otherwise not

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History: IRF644A | FDD6796A

 

 

 


 
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