STW70N60DM6-4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STW70N60DM6-4
   Código: 70N60DM6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 390 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 62 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.75 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 99 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 235 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247-4

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STW70N60DM6-4

STW70N60DM6-4 Datasheet (PDF)

..1. Size:452K st
stw70n60dm6-4.pdf

STW70N60DM6-4DatasheetN-channel 600 V, 36 m typ., 62 A, MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO2474 packageFeaturesVDS RDS(on) max. IDOrder codeSTW70N60DM6-4 600 V 42 m 62 A Fast-recovery body diode Lower RDS(on) per area vs previous generation432 Low gate charge, input capacitance and resistance1 100% avalanche testedTO247-4 Extremely high dv/dt

4.1. Size:599K st
stw70n60dm2.pdf

STW70N60DM2 N-channel 600 V, 0.037 typ., 66 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTW70N60DM2 600 V 0.042 66 A 446 W Fast-recovery body diode Extremely low gate charge and input 3capacitance 2 Low on-resistance 1 100% avalanche tested Extremely high dv/d

6.1. Size:1022K st
stw70n60m2.pdf

STW70N60M2N-channel 600 V, 0.03 typ., 68 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder codes VDS @ TJmax RDS(on) max IDSTW70N60M2 650 V 0.040 68 A Extremely low gate charge321 Excellent output capacitance (Coss) profile 100% avalanche testedTO-247 Zener-protected ApplicationsFigure 1. Internal schematic

7.1. Size:712K st
stw70n65m2.pdf

STW70N65M2 N-channel 650 V, 0.039 typ., 63 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) DSTW70N65M2 650 V 0.046 63 A Extremely low gate charge Excellent output capacitance (COSS) profile 3 100% avalanche tested 2 Zener-protected 1Applications TO-247 Switching applicat

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History: BLP032N08-T

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