SIHFP460 Todos los transistores

 

SIHFP460 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIHFP460
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 280 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 210(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 59 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 870 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

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SIHFP460 Datasheet (PDF)

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SIHFP460

IRFP460, SiHFP460Vishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 500Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.27RoHS* Isolated Central Mounting HoleQg (Max.) (nC) 210COMPLIANT Fast SwitchingQgs (nC) 29Qgd (nC) 110 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive RequirementsD Le

 ..2. Size:156K  vishay
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SIHFP460

IRFP460, SiHFP460Vishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 500Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.27RoHS* Isolated Central Mounting HoleQg (Max.) (nC) 210COMPLIANT Fast SwitchingQgs (nC) 29Qgd (nC) 110 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive RequirementsD Le

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SIHFP460

IRFP460N, SiHFP460NVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 500AvailableRequirementRDS(on) ()VGS = 10 V 0.24 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RoHS*Qg (Max.) (nC) 124 COMPLIANTRuggednessQgs (nC) 40 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltageand CurrentQgd (nC) 57Configura

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SIHFP460

IRFP460A, SiHFP460AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 500AvailableRequirementRDS(on) ()VGS = 10 V 0.27 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RoHS*Qg (Max.) (nC) 105 COMPLIANTRuggednessQgs (nC) 26 Fully Characterized Capacitance and Avalanche VoltageQgd (nC) 42 and CurrentConfigurat

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History: STD12N06-1

 

 
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