SIHH180N60E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIHH180N60E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 114 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 49 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 56 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
Encapsulados: POWERPAK-8X8
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SIHH180N60E datasheet
sihh180n60e.pdf
SiHH180N60E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES Pin 4 drain 4th generation E series technology PowerPAK 8 x 8 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Pin 1 Low effective capacitance (Co(er)) gate 4 Reduced switching and conduction losses 1 Avalanche energy rated (UIS) Pin 2 2 Kelvin connection Kelvin connection for reduced gate
sihh14n60e.pdf
SiHH14N60E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Fully lead (Pb)-free device VDS (V) at TJ max. 650 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg RDS(on) typ. ( ) at 25 C VGS = 10 V 0.220 Low input capacitance (Ciss) Qg max. (nC) 82 Reduced switching and conduction losses Qgs (nC) 8 Qgd (nC) 16 Ultra low gate charge (Qg) Confi
sihh11n60e.pdf
SiHH11N60E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Fully lead (Pb)-free device VDS (V) at TJ max. 650 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg RDS(on) typ. ( ) at 25 C VGS = 10 V 0.295 Low input capacitance (Ciss) Qg max. (nC) 62 Reduced switching and conduction losses Qgs (nC) 7 Qgd (nC) 13 Ultra low gate charge (Qg) Confi
Otros transistores... SIA918EDJ , SIA923AEDJ , SIHA21N60EF , SIHA22N60AE , SIHA22N60AEL , SIHD4N80E , SIHG17N80E , SIHG70N60EF , IRF1405 , SIHH27N60EF , SIHP11N80E , SIHP120N60E , SIHP17N80E , SIHP25N60EFL , SIR164ADP , SIR182DP , SIR610DP .
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