SIRA01DP Todos los transistores

 

SIRA01DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIRA01DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1420 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0049 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

 Búsqueda de reemplazo de SIRA01DP MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SIRA01DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:180K  vishay
 sira01dp.pdf pdf_icon

SIRA01DP

SiRA01DPwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8 SingleD TrenchFET Gen IV p-channel power MOSFETD 8 Very low Qgd miller charge and Qgd/Qgs ratio

 9.1. Size:172K  vishay
 sira00dp.pdf pdf_icon

SIRA01DP

SiRA00DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.)ID (A)a, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.00100 at VGS = 10 V Material categorization:10030 66 nCFor definitions of compliance please see0.00135 at VGS = 4.5 V 100www.vishay.com/doc?99912PowerPAK SO-8APPLICATIO

 9.2. Size:159K  vishay
 sira02dp.pdf pdf_icon

SIRA01DP

New ProductSiRA02DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.)ID (A)a, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.00200 at VGS = 10 V Material categorization:5030 34.3 nCFor definitions of compliance please see0.00270 at VGS = 4.5 V 50www.vishay.com/doc?99912APPLICATIONS

 9.3. Size:508K  vishay
 sira04dp.pdf pdf_icon

SIRA01DP

New ProductSiRA04DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.)ID (A)a, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.00215 at VGS = 10 V Material categorization:4030 22.5 nCFor definitions of compliance please see0.00310 at VGS = 4.5 V 40www.vishay.com/doc?99912APPLICATIONS

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... SIR624DP , SIR626DP , SIR638DP , SIR680DP , SIR688DP , SIR690DP , SIR871DP , SIR873DP , IRFP064N , SIRA10BDP , SIRA12BDP , SIRA14BDP , SIRA18ADP , SIRA24DP , SIRA26DP , SIRA32DP , SIRA52DP .

History: TK8P60W5 | IPP086N10N3

 

 
Back to Top

 


 
.