SQ1912EH Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQ1912EH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm

Encapsulados: SOT-363 SC-70-6

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SQ1912EH datasheet

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SQ1912EH

SQ1912EH www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES SOT-363 TrenchFET power MOSFET SC-70 Dual (6 leads) S2 AEC-Q101 qualified 4 G2 100 % Rg tested 5 D1 Material categorization 6 for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 3 D2 2 G1 1 S1 D1 D2 Top View Marking Code 9H PRODUC

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SQ1912EEH www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 20 Definition RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.280 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = 2.5 V 0.360 AEC-Q101 Qualifiedd RDS(on) ( ) at VGS = 1.8 V 0.450 100 % Rg Tested ID (A) 0.8 Ty

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SQ1912AEEH www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 20 AEC-Q101 qualified RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.280 100 % Rg tested RDS(on) ( ) at VGS = 2.5 V 0.360 Typical ESD protection 800 V RDS(on) ( ) at VGS = 1.8 V 0.450 ID (A) 0.8 Material categorization f

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