SQ1912EH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SQ1912EH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 0.76 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363 SC-70-6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SQ1912EH

SQ1912EH Datasheet (PDF)

..1. Size:253K vishay
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SQ1912EHwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESSOT-363 TrenchFET power MOSFETSC-70 Dual (6 leads)S2 AEC-Q101 qualified4G2 100 % Rg tested5D1 Material categorization:6for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?999123D22G11S1 D1 D2Top ViewMarking Code: 9HPRODUC

7.1. Size:171K vishay
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SQ1912EEHwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 20DefinitionRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.280 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 2.5 V 0.360 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 1.8 V 0.450 100 % Rg TestedID (A) 0.8 Ty

8.1. Size:277K vishay
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SQ1912AEEHwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 20 AEC-Q101 qualifiedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.280 100 % Rg testedRDS(on) () at VGS = 2.5 V 0.360 Typical ESD protection: 800 VRDS(on) () at VGS = 1.8 V 0.450ID (A) 0.8 Material categorization: f

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