SQ3418AEEV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SQ3418AEEV
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 112 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
Paquete / Cubierta: TSOP-6
Búsqueda de reemplazo de SQ3418AEEV MOSFET
SQ3418AEEV Datasheet (PDF)
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Work-In-ProgressSQ3418AEEVwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 40 Typical ESD protection 800 VRDS(on) () at VGS = 10 V 0.032 AEC-Q101 qualifieddRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.042 100 % Rg and UIS testedID (A) 8 Material categorization:Configuration Singl
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SQ3418EEVwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 40DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.032 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.048 Typical ESD Protection 800 VID (A) 8 AEC-Q101 QualifieddConfiguration Single 100 % Rg an
sq3418ev.pdf

SQ3418EVwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 40 AEC-Q101 qualified dRDS(on) () at VGS = 10 V 0.032 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.042 Material categorization: ID (A) 8for definitions of compliance please see Configuration Singlewww.vi
sq3419eev.pdf

SQ3419EEVwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21PRODUCT SUMMARYDefinitionVDS (V) - 40 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.050 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.078 100 % Rg and UIS TestedID (A) - 7.4 Typical ESD Protection 800 V
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History: FDMC86340 | SWD10N65K2 | HSL0004 | WSD2054DN22 | WMT04P06TS | MTB30P06VT4 | CRTS030N04L
History: FDMC86340 | SWD10N65K2 | HSL0004 | WSD2054DN22 | WMT04P06TS | MTB30P06VT4 | CRTS030N04L



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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