SQJ202EP Todos los transistores

 

SQJ202EP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SQJ202EP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 539 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

SQJ202EP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:354K  vishay
 sqj202ep.pdf pdf_icon

SQJ202EP

SQJ202EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 12 V (D-S) 175 C MOSFETsFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETN-CHANNEL 1 N-CHANNEL 2 AEC-Q101 qualified dVDS (V) 12 12 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0065 0.0033 Material categorization:RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0093 0.0045for definitions of compliance pl

 9.1. Size:349K  vishay
 sqj200ep.pdf pdf_icon

SQJ202EP

SQJ200EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFETsFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETN-CHANNEL 1 N-CHANNEL 2 AEC-Q101 qualified dVDS (V) 20 20 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0088 0.0037 Material categorization: RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0124 0.0050for definitions of compliance p

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: P3506DD | SIHF10N40D | FK30SM-5 | SI2202 | MTP3N35 | SL4813A

 

 
Back to Top

 


 
.