SQJ260EP Todos los transistores

 

SQJ260EP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SQJ260EP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 355 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

SQJ260EP Datasheet (PDF)

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SQJ260EP

SQJ260EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETsFEATURESSPowerPAK SO-8L Dual Asymmetric TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualifiedD1 100 % Rg and UIS tested Optimized for synchronous buck applicationsD2 Material categorization: 1for definitions of compliance please seeS12www.vishay.com/doc?99912G13

 9.1. Size:382K  vishay
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SQJ260EP

SQJ262EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETsFEATURESSPowerPAK SO-8L Dual Asymmetric TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualifiedD1 100 % Rg and UIS tested Optimized for synchronous buck applicationsD2 Material categorization: 1for definitions of compliance please seeS12www.vishay.com/doc?99912G1

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History: IRFI9630GPBF | NTB5860N

 

 
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