SQJ476EP Todos los transistores

 

SQJ476EP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SQJ476EP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 275 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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SQJ476EP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:290K  vishay
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SQJ476EP

SQJ476EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 100 AEC-Q101 qualified dRDS(on) () at VGS = 10 V 0.038 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.050 Material categorization:ID (A) 23for definitions of compliance please seeConfiguration Singlewww

 9.1. Size:264K  vishay
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SQJ476EP

SQJ479EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 80 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -80 AEC-Q101 qualifiedRDS(on) () at VGS = -10 V 0.033RDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.044 100 % Rg and UIS testedID (A) -32 Material categorization:Configuration Singlefor definitions of compliance please see

 9.2. Size:289K  vishay
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SQJ476EP

SQJ474EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 100 AEC-Q101 qualified dRDS(on) () at VGS = 10 V 0.030 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.035 Material categorization:ID (A) 26for definitions of compliance please seeConfiguration Single www.

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History: KI2304DS | HSU80N03

 

 
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