SQJA02EP Todos los transistores

 

SQJA02EP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SQJA02EP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 68 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0048 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET SQJA02EP

 

SQJA02EP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:237K  vishay
sqja02ep.pdf

SQJA02EP
SQJA02EP

SQJA02EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8L Single TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualified 100 % Rg and UIS testedD Material categorization:for definitions of compliance please see1Swww.vishay.com/doc?999122S3DS41 GTop View Bottom ViewPRODUCT SUMMARYGVDS (V) 60

 9.1. Size:236K  vishay
sqja04ep.pdf

SQJA02EP
SQJA02EP

SQJA04EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8L Single TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualified 100 % Rg and UIS testedD Material categorization: for definitions of compliance please see 1Swww.vishay.com/doc?999122S3DS41 GTop View Bottom ViewPRODUCT SUMMARYGVDS (V) 60

 9.2. Size:278K  vishay
sqja06ep.pdf

SQJA02EP
SQJA02EP

SQJA06EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8L Single TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualified 100 % Rg and UIS testedD Material categorization:for definitions of compliance please see1Swww.vishay.com/doc?999122S3DS41 GTop View Bottom ViewPRODUCT SUMMARYGVDS (V) 60RDS

 9.3. Size:268K  vishay
sqja00ep.pdf

SQJA02EP
SQJA02EP

SQJA00EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8L Single TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualified 100 % Rg and UIS testedD Material categorization: for definitions of compliance please see 1S www.vishay.com/doc?999122S3S4D1 GTop View Bottom ViewPRODUCT SUMMARYGVDS (V) 60

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: BUK9217-75B

 

 
Back to Top

 


History: BUK9217-75B

SQJA02EP
  SQJA02EP
  SQJA02EP
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918

 

 

 
Back to Top