SQS484ENW Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SQS484ENW 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 850 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
Encapsulados: POWERPAK-1212-8W
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SQS484ENW datasheet
sqs484enw.pdf
SQS484ENW www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PowerPAK 1212-8W Single TrenchFET power MOSFET D D 8 D D AEC-Q101 qualified 7 7 D D 6 6 100 % Rg and UIS tested 5 5 Material categorization for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 1 1 2 2 S S 3 3 D S S 4 4 S S
sqs484en.pdf
SQS484EN www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 40 AEC-Q101 Qualifiedd RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.009 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.01 Material categorization ID (A) 16 For definitions of compliance please see Configuration Single www.vis
sqs482en.pdf
SQS482EN www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 30 AEC-Q101 Qualifiedd RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0085 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.01 Material categorization ID (A) 16 For definitions of compliance please see Configuration Single www.vi
sqs482enw.pdf
SQS482ENW www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PowerPAK 1212-8W Single D TrenchFET power MOSFET D 8 D D 7 AEC-Q101 qualified d 7 D D 6 6 5 5 100 % Rg and UIS tested Material categorization for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 1 1 2 2 S S 3 3 S S D 4 4 S S
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