11NM70G-TA3-T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 11NM70G-TA3-T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 162 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 700 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 11 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 70 nC
Tiempo de subida (tr): 62 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 220 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.58 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
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11NM70G-TA3-T Datasheet (PDF)
11nm70l-ta3-t 11nm70g-ta3-t 11nm70l-tf3-t 11nm70g-tf3-t 11nm70l-tf1-t 11nm70g-tf1-t 11nm70l-tm3-t 11nm70g-tm3-t.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 11NM70 Power MOSFET 11A, 700V N-CHANNEL SUPER-JUNCTION MOSFET DESCRIPTION The UTC 11NM70 is a Super Junction MOSFET Structureand is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at DC-DC, AC-DC conver
11nm70l-tms2-t 11nm70g-tms2-t 11nm70l-tn3-r 11nm70g-tn3-r 11nm70l-t2q-t 11nm70g-t2q-t 11nm70l-t2s-t 11nm70g-t2s-t.pdf
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