11NM70G-TMS2-T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 11NM70G-TMS2-T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 80 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 700 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 11 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 70 nC
   Tiempo de subida (tr): 62 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 220 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.58 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251S

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 11NM70G-TMS2-T

11NM70G-TMS2-T Datasheet (PDF)

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 11NM70 Power MOSFET 11A, 700V N-CHANNEL SUPER-JUNCTION MOSFET DESCRIPTION The UTC 11NM70 is a Super Junction MOSFET Structureand is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at DC-DC, AC-DC conver

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Liste

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