FDD8445F085 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDD8445F085
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 79 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Qgⓘ - Carga de la puerta: 45 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0087 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252 DPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDD8445F085

FDD8445F085 Datasheet (PDF)

7.1. Size:383K fairchild semi
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March 2007tmFDD8445N-Channel PowerTrench MOSFET40V, 50A, 8.7m Features Applications RDS(ON) = 6.7 m (Typ), VGS = 10V, ID=50A Automotive Engine Control Qg(10) = 45nC (Typ), VGS=10V Powertrain Management Low Miller Charge Solenoid and Motor Drivers Low Qrr Body Diode Electronic Transmission UIS Capability (Single Pulse/ Repetitive Pulse) Distributed Power Architectu

7.2. Size:523K fairchild semi
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January 2010FDD8445_F085N-Channel PowerTrench MOSFET40V, 50A, 8.7m Features Applications RDS(ON) = 6.7 m (Typ), VGS = 10V, ID=50A Automotive Engine Control Qg(10) = 45nC (Typ), VGS=10V Powertrain Management Low Miller Charge Solenoid and Motor Drivers Low Qrr Body Diode Electronic Transmission UIS Capability (Single Pulse/ Repetitive Pulse) Distributed Power Archite

7.3. Size:287K inchange semiconductor
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isc N-Channel MOSFET Transistor FDD8445FEATURESDrain Current : I =70A@ T =25D CDrain Source Voltage: V =40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =8.7m(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid d

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Liste

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