2N90G-TA3-T Todos los transistores

 

2N90G-TA3-T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N90G-TA3-T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 7.2 Ohm

Encapsulados: TO220

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2N90G-TA3-T datasheet

 ..1. Size:268K  utc
 2n90l-ta3-t 2n90g-ta3-t 2n90l-tf3-t 2n90g-tf3-t 2n90l-tm3-t 2n90g-tm3-t 2n90l-tn3-r 2n90g-tn3-r 2n90l-tnd-r 2n90g-tnd-r.pdf pdf_icon

2N90G-TA3-T

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2N90 Power MOSFET 2A, 900V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 2N90 is an N-channel mode power MOSFET using UTC s advanced technology to provide costumers with planar stripe and DMOS technology. This technology specialized in allowing a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can withstand high energy

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History: WMN08N60C4 | 2SK685 | 2SK2223-01 | SI2308DS-T1-GE3 | SM4331PSK | SM4303PSUC | BFW11

 

 

 

 

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