2N90G-TA3-T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N90G-TA3-T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 85 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 900 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 2.2 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 16 nC
Tiempo de subida (tr): 65 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 45 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 7.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2N90G-TA3-T
2N90G-TA3-T Datasheet (PDF)
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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2N90 Power MOSFET 2A, 900V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 2N90 is an N-channel mode power MOSFET using UTCs advanced technology to provide costumers with planar stripe and DMOS technology. This technologyspecialized in allowing a minimum on-state resistance andsuperior switching performance. It also can withstand high energy
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