2N90L-TM3-T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N90L-TM3-T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 7.2 Ohm
Encapsulados: TO251
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2N90L-TM3-T datasheet
2n90l-ta3-t 2n90g-ta3-t 2n90l-tf3-t 2n90g-tf3-t 2n90l-tm3-t 2n90g-tm3-t 2n90l-tn3-r 2n90g-tn3-r 2n90l-tnd-r 2n90g-tnd-r.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2N90 Power MOSFET 2A, 900V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 2N90 is an N-channel mode power MOSFET using UTC s advanced technology to provide costumers with planar stripe and DMOS technology. This technology specialized in allowing a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can withstand high energy
Otros transistores... 2N80G-TN3-R , 2N80L-TND-R , 2N80G-TND-R , 2N80G-TF3-T , 2N90L-TA3-T , 2N90G-TA3-T , 2N90L-TF3-T , 2N90G-TF3-T , IRFP250 , 2N90G-TM3-T , 2N90L-TN3-R , 2N90G-TN3-R , 2N90L-TND-R , 2N90G-TND-R , 2P50L-AA3-R , 2P50G-AA3-R , 2P50L-TN3-R .
History: 3N45 | 2SK897-M | NTF5P03T3G | STD13N50DM2AG | SIR422DP-T1-GE3 | CS16N06AE-G
History: 3N45 | 2SK897-M | NTF5P03T3G | STD13N50DM2AG | SIR422DP-T1-GE3 | CS16N06AE-G
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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