3N70L-TM3-T Todos los transistores

 

3N70L-TM3-T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3N70L-TM3-T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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3N70L-TM3-T Datasheet (PDF)

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3N70L-TM3-T

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 3N70 Power MOSFET 3A, 700V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 3N70 is a high voltage and high current power MOSFET, designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching app

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History: STH410N4F7-6AG | AP4503BGO-HF | TPP60R3K4C | 2SK2636 | 30N06G-TN3-T | 30N06L-TN3-R

 

 
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