3N70L-TN3-T Todos los transistores

 

3N70L-TN3-T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3N70L-TN3-T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm

Encapsulados: TO252

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3N70L-TN3-T datasheet

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3N70L-TN3-T

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 3N70 Power MOSFET 3A, 700V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 3N70 is a high voltage and high current power MOSFET, designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching app

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History: IRF8302MPBF | ED7509 | JCS4N60FB | 2SK1356 | NTD4965N | STD3N40K3 | 20P06-TO252

 

 

 

 

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