3N80L-TF1-T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 3N80L-TF1-T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 25 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 800 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 3 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 19 nC
   Tiempo de subida (tr): 27 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 57 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 4.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

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3N80L-TF1-T Datasheet (PDF)

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 3N80 Power MOSFET 3.0 Amps, 800Volts N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 3N80 provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)

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Liste

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