3N80L-TN3-R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3N80L-TN3-R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 57 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
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3N80L-TN3-R Datasheet (PDF)
3n80l-ta3-t 3n80g-ta3-t 3n80l-tf3-t 3n80g-tf3-t 3n80l-tf1-t 3n80g-tf1-t 3n80l-tf2-t 3n80g-tf2-t 3n80l-tm3-t 3n80g-tm3-t 3n80l-tms4-r 3n80g-tms4-r 3n80l-tn3-r 3n80g-tn3-r.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 3N80 Power MOSFET 3.0 Amps, 800Volts N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 3N80 provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)
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Liste
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