3N80L-TN3-R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3N80L-TN3-R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 50 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 800 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 3 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 19 nC
Tiempo de subida (tr): 27 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 57 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 4.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
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3N80L-TN3-R Datasheet (PDF)
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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 3N80 Power MOSFET 3.0 Amps, 800Volts N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 3N80 provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)
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