4N90L-TF1-T Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 4N90L-TF1-T  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 188 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 49 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.2 Ohm

Encapsulados: TO220F

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4N90L-TF1-T datasheet

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4N90L-TF1-T

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 4N90 Power MOSFET 4 Amps, 900 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 4N90 is a N-channel enhancement MOSFET adopting UTC s advanced technology to provide customers with DMOS, planar stripe technology. This technology is designed to meet the requirements of the minimum on-state resistance and perfect switching performance. It also ca

 6.1. Size:228K  utc
 4n90l-tf3t-t 4n90g-tf3t-t 4n90l-tm3-t 4n90g-tm3-t 4n90l-tn3-r 4n90g-tn3-r 4n90l-t3n-t 4n90g-t3n-t.pdf pdf_icon

4N90L-TF1-T

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 4N90 Power MOSFET 4 Amps, 900 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 4N90 is a N-channel enhancement MOSFET adopting UTC s advanced technology to provide customers with DMOS, planar stripe technology. This technology is designed to meet the requirements of the minimum on-state resistance and perfect switching performance. It also ca

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