4N90G-TF2-T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 4N90G-TF2-T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 188 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 49 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 4N90G-TF2-T

4N90G-TF2-T Datasheet (PDF)

..1. Size:228K utc
4n90l-ta3-t 4n90g-ta3-t 4n90l-tf3-t 4n90g-tf3-t 4n90l-tf1-t 4n90g-tf1-t 4n90l-tf2-t 4n90g-tf2-t.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 4N90 Power MOSFET 4 Amps, 900 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 4N90 is a N-channel enhancement MOSFETadopting UTCs advanced technology to provide customers with DMOS, planar stripe technology. This technology is designed to meet the requirements of the minimum on-state resistance andperfect switching performance. It also ca

6.1. Size:228K utc
4n90l-tf3t-t 4n90g-tf3t-t 4n90l-tm3-t 4n90g-tm3-t 4n90l-tn3-r 4n90g-tn3-r 4n90l-t3n-t 4n90g-t3n-t.pdf

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: