4N90G-TN3-R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 4N90G-TN3-R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 54 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 900 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 33 nC
Tiempo de subida (tr): 188 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 49 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 4.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
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4N90G-TN3-R Datasheet (PDF)
4n90l-tf3t-t 4n90g-tf3t-t 4n90l-tm3-t 4n90g-tm3-t 4n90l-tn3-r 4n90g-tn3-r 4n90l-t3n-t 4n90g-t3n-t.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 4N90 Power MOSFET 4 Amps, 900 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 4N90 is a N-channel enhancement MOSFETadopting UTCs advanced technology to provide customers with DMOS, planar stripe technology. This technology is designed to meet the requirements of the minimum on-state resistance andperfect switching performance. It also ca
4n90l-ta3-t 4n90g-ta3-t 4n90l-tf3-t 4n90g-tf3-t 4n90l-tf1-t 4n90g-tf1-t 4n90l-tf2-t 4n90g-tf2-t.pdf
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