6N80L-TF1-T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 6N80L-TF1-T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 51 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
- Selección de transistores por parámetros
6N80L-TF1-T Datasheet (PDF)
6n80l-ta3-t 6n80g-ta3-t 6n80l-tf3-t 6n80g-tf3-t 6n80l-tf1-t 6n80g-tf1-t 6n80l-t2q-t 6n80g-t2q-t.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 6N80 Power MOSFET 6.0A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET 1TO-220 DESCRIPTION The UTC 6N80 is a N-channel mode power MOSFET usingUTCs advanced technology to provide customers with planar stripe 1TO-220Fand DMOS technology. This technology specialized in allowing a minimum on-state resistance and superior switching performance. Italso can
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History: IPW60R125CP | DMC3021LSD | IRC624 | 2SJ227 | DMN2170U | PJW1NA60 | IRFU3412PBF
History: IPW60R125CP | DMC3021LSD | IRC624 | 2SJ227 | DMN2170U | PJW1NA60 | IRFU3412PBF



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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