7N70L-TF1-T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 7N70L-TF1-T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 48 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 700 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 7 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 120 nC
Tiempo de subida (tr): 80 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 97 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
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7N70L-TF1-T Datasheet (PDF)
7n70l-tf1-t 7n70g-tf1-t.pdf
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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 7N70-M Preliminary Power MOSFET 7A, 700V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 7N70-M is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switch
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