7N80L-TF3T-T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 7N80L-TF3T-T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 155 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 7N80L-TF3T-T

7N80L-TF3T-T Datasheet (PDF)

..1. Size:258K utc
7n80l-ta3-t 7n80g-ta3-t 7n80l-tf3-t 7n80g-tf3-t 7n80l-tf1-t 7n80g-tf1-t 7n80l-tf2-t 7n80g-tf2-t 7n80l-tf3t-t 7n80g-tf3t-t 7n80l-tq2-t 7n80g-tq2-t 7n80l-tq2-r 7n80g-tq2-r.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 7N80 Power MOSFET 7.0A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET 11TO-220 TO-220F DESCRIPTION The UTC 7N80 is a N-channel mode power MOSFET usingUTCs advanced technology to provide customers with planar stripe and DMOS technology. This technology specializes in 11allowing a minimum on-state resistance and superior switching TO-220F1 TO-220F2pe

7.1. Size:173K 1
7n80l-t 7n80g-t.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 7N80 Preliminary Power MOSFET 7.0 Amps, 800 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 1 DESCRIPTION TO-220The UTC 7N80 is an N-channel mode power MOSFET usingUTCs advanced technology to provide costomers with planar stripe and DMOS technology. This technology specializes in allowing a minimum on-state resistance and superior switching performance. Ita

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: