7NM65G-TN3-R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 7NM65G-TN3-R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 21 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 95 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 238 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 7NM65G-TN3-R

7NM65G-TN3-R Datasheet (PDF)

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 7NM65 Power MOSFET 7.0A, 650V N-CHANNEL SUPER-JUNCTION MOSFET DESCRIPTION The UTC 7NM65 is a Super Junction MOSFET Structure. It uses UTC advanced planar stripe, DMOS technology to provide customers perfect switching performance, minimal on-state resistance. The UTC 7NM65 is universally applied in electronic lamp ballasts based on half bri

6.1. Size:223K utc
7nm65l-ta3-t 7nm65g-ta3-t 7nm65l-tf3-t 7nm65g-tf3-t 7nm65l-tf1-t 7nm65g-tf1-t 7nm65l-tm3-t.pdf

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