8N60KG-TF1-T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 8N60KG-TF1-T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 28 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 89 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 8N60KG-TF1-T

8N60KG-TF1-T Datasheet (PDF)

..1. Size:199K utc
8n60kl-ta3-t 8n60kg-ta3-t 8n60kl-tf1-t 8n60kg-tf1-t 8n60kl-tf2-t 8n60kg-tf2-t 8n60kl-tf3-t 8n60kg-tf3-t 8n60kl-tf3t-t 8n60kg-tf3t-t.pdf

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9.1. Size:604K samwin
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