9N90G-TF2-T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 9N90G-TF2-T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 58 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 215 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 170 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 185 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 9N90G-TF2-T

9N90G-TF2-T Datasheet (PDF)

..1. Size:296K utc
9n90l-tc3-t 9n90g-tc3-t 9n90l-tf1-t 9n90g-tf1-t 9n90l-tf2-t 9n90g-tf2-t 9n90l-t3p-t 9n90g-t3p-t 9n90l-t3n-t 9n90g-t3n-t 9n90l-t47-t 9n90g-t47-t.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 9N90 Power MOSFET 9A, 900V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 9N90 uses UTCs advanced proprietary, planar stripe, DMOS technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)

9.1. Size:628K silicon standard
ssm09n90gw.pdf

SSM09N90GWN-channel Enhancement-mode Power MOSFETPRODUCT SUMMARY DESCRIPTIONThe SSM09N90GW acheives fast switching performanceBVDSS 900Vwith low gate charge without a complex drive circuit. It isRDS(ON) 1.2suitable for high voltage applications such as AC/DCconverters and offline power supplies.I 8.6AD The SSM09N90GW is in a TO-247 (TO-3P) package,Pb-free; RoHS-compli

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: