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2N6762JTXV MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N6762JTXV
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO204
 

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2N6762JTXV datasheet

 8.1. Size:146K  international rectifier
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2N6762JTXV

PD - 90336F IRF430 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6762 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6762 THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF MIL-PRF-19500/542] 500V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF430 500V 1.5 4.5A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique proces

 8.2. Size:137K  fairchild semi
 2n6761 2n6762.pdf pdf_icon

2N6762JTXV

 9.1. Size:142K  1
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2N6762JTXV

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