UF3205G-TQ2-T Todos los transistores

 

UF3205G-TQ2-T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UF3205G-TQ2-T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 101 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 781 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
     - Selección de transistores por parámetros

 

UF3205G-TQ2-T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:228K  utc
 uf3205l-ta3-t uf3205g-ta3-t uf3205l-t3p-t uf3205g-t3p-t uf3205l-t47-t uf3205g-t47-t uf3205l-tq2-t uf3205g-tq2-t uf3205l-tq2-r uf3205g-tq2-r.pdf pdf_icon

UF3205G-TQ2-T

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UF3205 Power MOSFET 110A, 55V N-CHANNEL POWER MOSFET 11TO-3P TO-247 DESCRIPTION The UTC UF3205 uses advanced technology to provide excellent RDS(ON), fast switching, low gate charge, and extremely efficient. This device is suitable for all commercial-industrialapplications at power dissipation levels to approximately 50 watts. 11

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UF3205G-TQ2-T

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UF3205 Power MOSFET 110A, 55V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UF3205 uses advanced technology to provide excellent RDS(ON), fast switching, low gate charge, and extremely efficient. This device is suitable for all commercial-industrialapplications at power dissipation levels to approximately 50 watts. FEATURES * RDS(ON)

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: NCE0250D | WSF20P03 | IPI80CN10NG

 

 
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