UF630G-TF1-T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: UF630G-TF1-T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 19 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 50(max) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET UF630G-TF1-T

UF630G-TF1-T Datasheet (PDF)

..1. Size:424K utc
uf630l-ta3-t uf630g-ta3-t uf630l-tf1-t uf630g-tf1-t uf630l-tf2-t uf630g-tf2-t uf630l-tf3-t uf630g-tf3-t.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UF630 Power MOSFET 200V, 9A N-CHANNEL POWER MOSFET 11TO-220 TO-220F DESCRIPTION The N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for high voltage, high speed power 1 1switching applications such as switching regulators, switching converters, solenoid, motor drivers, relay drivers. TO-220F1TO-220F2 FEATURES

6.1. Size:424K utc
uf630l-tm3-t uf630g-tm3-t uf630l-tn3-r uf630g-tn3-r uf630l-t2q-t uf630g-t2q-t uf630g-s08-r.pdf

9.1. Size:395K utc
uf630.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UF630 Power MOSFET 200V, 9A N-CHANNEL POWER MOSFET 11TO-220 TO-220F DESCRIPTION The N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, switching 1 1converters, solenoid, motor drivers, relay drivers. TO-220F1TO-220F2 FEATURES

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: