UF630G-TM3-T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: UF630G-TM3-T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 46 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 9 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 19 nC
   Tiempo de subida (tr): 50(max) nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 250 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251

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UF630G-TM3-T Datasheet (PDF)

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UF630 Power MOSFET 200V, 9A N-CHANNEL POWER MOSFET 11TO-220 TO-220F DESCRIPTION The N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for high voltage, high speed power 1 1switching applications such as switching regulators, switching converters, solenoid, motor drivers, relay drivers. TO-220F1TO-220F2 FEATURES

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UF630 Power MOSFET 200V, 9A N-CHANNEL POWER MOSFET 11TO-220 TO-220F DESCRIPTION The N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, switching 1 1converters, solenoid, motor drivers, relay drivers. TO-220F1TO-220F2 FEATURES

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