UF740G-TQ2-T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: UF740G-TQ2-T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 130 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET UF740G-TQ2-T

UF740G-TQ2-T Datasheet (PDF)

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UF740 Power MOSFET 10A, 400V, 0.55 N-CHANNEL POWER MOSFET 11TO-220 TO-220F DESCRIPTION The N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for high voltage, high speed power switching 1applications such as switching regulators, switching converters, 1solenoid, motor drivers, relay drivers. TO-220F1 TO-220F2 FEAT

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uf740.pdf

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