UF740G-TQ2-R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UF740G-TQ2-R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 138 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 130 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET UF740G-TQ2-R
UF740G-TQ2-R Datasheet (PDF)
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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UF740 Power MOSFET 10A, 400V, 0.55 N-CHANNEL POWER MOSFET 11TO-220 TO-220F DESCRIPTION The N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for high voltage, high speed power switching 1applications such as switching regulators, switching converters, 1solenoid, motor drivers, relay drivers. TO-220F1 TO-220F2 FEAT
uf740.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UF740 Power MOSFET 10A, 400V, 0.55 N-CHANNEL POWER MOSFET 11TO-220 TO-220F DESCRIPTION The N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for high voltage, high speed power switching 1applications such as switching regulators, switching converters, 1solenoid, motor drivers, relay drivers. TO-220F1 TO-220F2 FEAT
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