UF840KG-TF3-R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UF840KG-TF3-R

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.87 Ohm

Encapsulados: TO220F

 Búsqueda de reemplazo de UF840KG-TF3-R MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

UF840KG-TF3-R datasheet

 ..1. Size:376K  utc
 uf840kl-ta3-r uf840kg-ta3-r uf840kl-tf3-r uf840kg-tf3-r uf840kl-tf1-t uf840kg-tf1-t uf840kl-tn3-r uf840kg-tn3-r uf840kl-tq2-t uf840kg-tq2-t uf840kl-tq2-r uf840kg-tq2-r.pdf pdf_icon

UF840KG-TF3-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UF840K-MTQ Power MOSFET 8A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, switching converters, solenoid, motor drivers, relay drivers. FEATURES * Low RDS(ON)

 9.1. Size:426K  utc
 uf840.pdf pdf_icon

UF840KG-TF3-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UF840 Power MOSFET 8A, 500V, 0.85 , N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, switching converters, solenoid, motor drivers, relay drivers. FEATURES * Low RDS(ON)=0.85 * Single Pulse Ava

Otros transistores... UF830G-T2Q-T, UF830L-TQ2-R, UF830G-TQ2-R, UF830L-TQ2-T, UF830G-TQ2-T, UF840KL-TA3-R, UF840KG-TA3-R, UF840KL-TF3-R, MMIS60R580P, UF840KL-TF1-T, UF840KG-TF1-T, UF840KL-TN3-R, UF840KG-TN3-R, UF840KL-TQ2-T, UF840KG-TQ2-T, UF840KL-TQ2-R, UF840KG-TQ2-R