UF840KL-TQ2-R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UF840KL-TQ2-R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 134 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 8 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de subida (tr): 11.6 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 105 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.87 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
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UF840KL-TQ2-R Datasheet (PDF)
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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UF840K-MTQ Power MOSFET 8A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, switching converters, solenoid, motor drivers, relay drivers. FEATURES * Low RDS(ON)
uf840.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UF840 Power MOSFET 8A, 500V, 0.85, N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, switching converters, solenoid, motor drivers, relay drivers. FEATURES * Low RDS(ON)=0.85 * Single Pulse Ava
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