UP9971G-D08-T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: UP9971G-D08-T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 32.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 156 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: DIP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET UP9971G-D08-T

UP9971G-D08-T Datasheet (PDF)

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up9971l-d08-t up9971g-d08-t up9971g-s08-r.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UP9971 Power MOSFET 5A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UP9971 uses UTCs advanced technology toDIP-8provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for being used as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)

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up9971.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UP9971 Power MOSFET 5A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION DIP-8The UTC UP9971 uses UTCs advanced technology toprovide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for being used as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)

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Liste

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