UT3N06G-AE3-R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: UT3N06G-AE3-R
   Código: 3N06G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 0.35 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 3 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 6 nC
   Tiempo de subida (tr): 5 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 55 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET UT3N06G-AE3-R

UT3N06G-AE3-R Datasheet (PDF)

..1. Size:241K utc
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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT3N06 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UT3N06 is an N-channel power MOSFET providing very low on-resistance. It has high efficiency and perfect cost-effectiveness. It can be generally applied in the commercial and industrial fields. FEATURES * Simple drive requirement SYMBOL DrainGate

3.1. Size:1473K cn vbsemi
ut3n06g-ae3.pdf

UT3N06G-AE3www.VBsemi.twN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available TrenchFET Power MOSFET0.085 at VGS = 10 V 4.060 2.1 nC 100 % Rg Tested0.096 at VGS = 4.5 V 3.8 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Battery Switch DC/DC ConverterDTO-236(SOT23)

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ut3n06.pdf

9.1. Size:215K utc
ut3n01z.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT3N01Z Power MOSFET N-CHANNEL SILICON MOSFET GENERAL-PURPOSE SWITCHING DEVICE APPLICATIONS DESCRIPTION The UT3N01Z uses UTC advanced technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This devices general purpose is for switching device applications. FEATURES * RDS(ON)

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Liste

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