UT3N10L-AE3-R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: UT3N10L-AE3-R
   Código: 3N10L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 0.35 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 3 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 20 nC
   Tiempo de subida (tr): 18 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 45 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.165 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

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UT3N10L-AE3-R Datasheet (PDF)

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT3N10 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT 3MODE POWER MOSFET 21 1SOT-23TO-252(EIAJ SC-59) DESCRIPTION The UTC UT3N10 is an N-channel power MOSFET providing very low on-resistance. It has high efficiency and perfect cost-effectiveness. It can be generally applied in the commercial and industrial fields. 11SOT-89SOT-223 FE

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Liste

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